成膜プロセス装置
成膜プロセス装置は、ウェーハ上に回路素材となるナノレベルの薄膜を形成する装置です。
近年、半導体デバイスの構造の複雑化、三次元化によってウェーハの表面が複雑な形状になり、難易度の高い成膜に対する需要が高まっています。
当社グループでは、LP-CVD※1技術、酸化技術、アニール(低温、高温)技術、拡散技術、ALD※2技術に対応した成膜プロセス装置を提供しており、世界中の半導体デバイスメーカーから高い評価をいただいています。
※1：Low Pressure Chemical Vapor Deposition(減圧化学気相成膜)
※2：当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。
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ミニバッチ成膜装置Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ 剱
対応プロセス
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薄膜形成
当社製の成膜プロセス装置の最上位モデルとなるAdvanced TSURUGI Plus-Ⅲ 剱は、構造の微細化・複雑化が進む次々世代デバイスに対して高難易度成膜と高生産性を両立するサーマルプロセス装置です。成膜が必要な表面積が一段と増大し、構造がより複雑化する三次元積層デバイスへの高難易度成膜を実現する新技術を採用することにより、高品質なプロセス提供を可能としました。
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ミニバッチ成膜装置
Advanced TSURUGI 剱
対応プロセス
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薄膜形成
Advanced TSURUGI 剱は、構造の微細化・複雑化が進む次世代デバイスに対して高難易度成膜と高生産性を両立するサーマルプロセス装置です。三次元積層デバイスへの高難易度成膜を実現する新反応炉を採用することにより、高品質なプロセス提供を可能としました。
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ミニバッチ成膜装置TSURUGI-C²® 剱®
対応プロセス
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薄膜形成
TSURUGI-C²® 剱®は、次世代デバイスに対して高難易度成膜と高生産性を両立するサーマルプロセス装置です。ウェーハ反応炉など高品質なプロセス提供を可能とする成膜処理技術を採用しています。
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ラージバッチ成膜装置AdvancedAce®-II
対応プロセス
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薄膜形成
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CVD膜・酸化膜形成
AdvancedAce®-II(アドバンスドエースⅡ)は、当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、飛躍的にサイクル時間を短縮し、高スループットを実現したサーマルプロセス装置です。
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ラージバッチ成膜装置QUIXACE®-II
対応プロセス
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薄膜形成
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CVD膜・酸化膜形成
QUIXACE®-II(クイックエースⅡ)は、当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、飛躍的にサイクル時間を短縮し、高スループットを実現したサーマルプロセス装置です。
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ラージバッチ成膜装置VERTEX® Revolution
対応プロセス
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薄膜形成
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CVD膜・酸化膜形成
豊富な納入実績を誇るベストセラー装置200mmウェーハ対応バッチサーマルプロセス装置のVERTEX®（ベルテックス）シリーズの最新版が「VERTEX® Revolution」です。
少量多品種ラインから大量生産ラインまで、お客様のニーズに最適な機種をお選びいただくことができ、200mmウェーハ以外の150mmウェーハ以下も対応可能です。 -
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ラージバッチEPI成膜装置QUIXACE®-LV
対応プロセス
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薄膜形成
QUIXACE®-LV（クイックエースLV）は、当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、飛躍的にサイクル時間を短縮し、高スループットを実現したサーマルプロセス装置です。ウェーハのローディングエリアを真空ロードロック構造とすることで、自然酸化膜および汚染を究極に低減し、より高品質な成膜が可能です。
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トリートメント（膜質改善）プロセス装置
トリートメント(膜質改善)プロセス装置は、形成した薄膜にプラズマや熱を加えることで膜中の不純物を除去し、粒子を安定させて膜質を改善させる装置です。
近年、半導体デバイスの微細化、複雑化に伴って、低温環境での膜質改善を可能にするトリートメント技術に対する需要が拡大しています。
当社グループでは、窒化・酸化やキュア・アニールに対応したトリートメント装置を提供しており、世界中の半導体デバイスメーカーから高い評価をいただいています。
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枚葉トリートメント装置MARORA®
対応プロセス
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プラズマ窒化（絶縁膜窒化）
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プラズマ酸化（薄膜酸化膜形成、選択酸化、異方性酸化）
MARORA®(マローラ)は、次世代DRAM、ロジックのゲート絶縁膜形成、フラッシュメモリの絶縁膜形成に最適な装置です。
MARORA®は、独自のプラズマ生成方式(MMT※方式)を用いることにより、効率良く約1eVの低電子温度のプラズマ形成が可能で、プラズマダメージフリーなプラズマ処理を実現しております。 -
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枚葉トリートメント装置TANDUO®
対応プロセス
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アニール (低温、高温）
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薄膜形成
TANDUO®(タンデュオ)はプロセスに応じたモジュール選択により、キュア、アニール、デガス等に合わせた最適なシステムを提供する事ができます。
また、当社独自の高速搬送システムとの組み合わせにより、優れた生産性と低パーティクルなプロセス環境の提供を実現しています。 -
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ラージバッチトリートメント装置
AdvancedAce®-II
対応プロセス
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酸化
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拡散
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アニール (低温、高温）
AdvancedAce®-II(アドバンスドエースⅡ)は、当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、飛躍的にサイクル時間を短縮し、高スループットを実現したサーマルプロセス装置です。
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ラージバッチトリートメント装置
QUIXACE®-II
対応プロセス
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酸化
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拡散
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アニール (低温、高温）
QUIXACE®-II(クイックエースⅡ)は、当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、飛躍的にサイクル時間を短縮し、高スループットを実現したサーマルプロセス装置です。
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ラージバッチトリートメント装置
VERTEX® Revolution
対応プロセス
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酸化
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拡散
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アニール（低温、高温、超高温）
豊富な納入実績を誇るベストセラー装置200mmウェーハ対応バッチサーマルプロセス装置のVERTEX®(ベルテックス)シリーズの最新版が「VERTEX® Revolution」です。
少量多品種ラインから大量生産ラインまで、お客様のニーズに最適な機種をお選びいただくことができ、200mmウェーハ以外の150mmウェーハ以下も対応可能です。 -
