本社・事業所を覗く

プロセス開発エリアでは、デバイストレンドや顧客ニーズに適応するプロセス条件の開発や新規原料の検討、成膜の評価・測定などを行っています。シミュレーション技術や各種成膜実験の評価、高度な測定技術等を活用し、各種データから成膜メカニズムを考察することで性能確認を行っています。また、5年後、10年後を見据えて、次世代デバイスに対応するプロセス技術や新しいプロセスガスを生み出せるように、常に改善、解析、実験を繰り返しています。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、DNAやウイルスのように微細なナノメートル（nm）の世界で、高品質な薄膜を生成するには高度な技術が必要となります。熱流体力学、機械工学、制御工学、電気・電子工学 、さらには、マテリアル工学、物理工学、プラズマ工学といった幅広い分野の技術が求められるため、それぞれの専門家が結集しプロセス開発を行っています。
自社の技術に加え、国内外のコンソーシアムや大学、および開発パートナーと連携しながら、高難易度の課題をクリアし続けています。

当社の半導体製造装置は、主に半導体の性能を左右する成膜プロセス、トリートメント（膜質改善）プロセスを担い、世界中の半導体メーカーから高い評価をいただいています。その強みを支えているのがこの評価エリアです。
当社はこの評価エリアにおいて、社内開発向けの半導体製造装置を使って成膜処理やトリートメント処理を行います。お客様の要求を満たし最適化を図るため、膜厚測定・異物検査・各種物理分析・観察等、ナノレベルの評価を行っています。
そうした評価を繰り返しながら、DRAM、3D-NAND、Logic等、半導体デバイスの性能向上に伴い、ますます高度化・三次元化するお客様の要求に応えています。

当社のバッチ成膜装置は、ウェーハを縦に高く積み上げて処理を行うため、高さこそ4m以上となり、横幅はわずか1m強です。お客様先の工場では省スペースで高い生産性を発揮し、高い評価を得ています。

富山事業所のすぐ近くにある西山館では、当社グループの装置のメンテナンスや操作方法をレクチャーするスタンダードトレーニングをはじめ、装置を効率よく運用いただくためのサポートを行っています。はじめて装置に触れる方からスペシャリスト、インストラクターをめざす方に対応できるよう幅広いカリキュラムをご用意しています。また、装置購入をご検討されているお客様のご見学にも対応しています。

展示室では、当社グループの歴史を紐解く資料を展示しています。
入口には世界地図のパネルが設置されており、国内外のグループ会社とブランチの拠点をご覧いただけます。展示室内では、沿革や製品の変遷を展示しており、当社が歩んできた歴史を知ることができます。

また、当社の製品は世界中の半導体メーカーから高く評価され、数々の賞をいただいており、展示室ではそれらのトロフィーなども展示しています。

超高純度に生成されたシリコン単結晶インゴットを専用装置で引き上げると、写真のような棒状のものが出来上がります。そして、これを薄くスライスして研磨したものがウェーハです。
1970年代が一番左の3inch、それが時代とともに大きくなり、2000年代で8inch、現在は12inch（※直径300mm相当！）のウェーハが主流となっています。
ウェーハサイズが大きくなると、一度の処理で取り出せる半導体デバイスが多くなり、生産性が高まるメリットがあります。一方でウェーハ面積が大きくなれば、膜厚を均一に保つため、より高度な技術が求められます。
この薄いシリコンでできたウェーハ基盤の上に、薄膜を何層も重ねたり、削ったりする工程を繰り返して配線やトランジスタを形成し、半導体デバイスができます。
当社は、このウェーハ上に薄膜を形成していく装置を世界中のお客様に提供しています。